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高低溫試驗(yàn)箱的性能指標(biāo) |
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時(shí)間:2012/9/27 7:53:24 |
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高低溫試驗(yàn)箱是按GB2423.1、GB2423.2《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法,試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法》對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行低溫、高溫試驗(yàn)及恒定溫?zé)嵩囼?yàn)。產(chǎn)品符合GB2423.1、GB2423.2、GJB150.3、GJB150.4、IEC、MIL標(biāo)準(zhǔn)。
高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)指標(biāo):
1、溫度范圍:A:-20℃~150℃ B:-40℃~150℃ C:-60℃~150℃ D:-70℃~150℃;
2、波動(dòng)/均勻度:±0.5℃/±2℃;
3、升溫速率:1.0~3.0℃/min;
4、降溫速率: 0.7~1.0℃/min;
5、定時(shí)功能:0.1~999.9(H、M、S)可調(diào)。
高低溫試驗(yàn)箱使用環(huán)境:
1、環(huán)境溫度:5℃~+30℃ ≤85%R.H
2、電源電壓:AC380V±10% 50±0.5Hz 三相五線制
3、周圍無(wú)強(qiáng)烈振動(dòng),無(wú)腐蝕氣體;
4、無(wú)陽(yáng)光直接照射或其他冷、熱源直接輻射;
5、周圍無(wú)強(qiáng)烈氣流,當(dāng)周圍空氣需強(qiáng)制流動(dòng)時(shí),氣流不應(yīng)直接吹到箱體上;
6、周圍無(wú)干擾試驗(yàn)箱控制電路的磁場(chǎng)影響;
7、周圍無(wú)高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)。
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